کنفرانس منطقه ای سیرد

صفحه اصلی / نهمین کنفرانس منطقه ای سیرد

محدوده های نفوذ سیستم تولید:مدلسازی ولتاژ فیدرهای LV تولید پراکنده فتوولتائیک با اتصال تصادفی

نویسندگان :

حجت اکبری¹ محمد نیکویی²

1- دانشگاه ازاد واحد خمین-شرکت توزیع برق مرکزی 2- دانشگاه ازاد واحد خمین-شرکت توزیع برق مرکزی

کلمات کلیدی :

افزایش ولتاژ،توزیع احتمال،تولیدفتوولتاثیک ،شبیه سازی مونته کارلو، نفوذ DG، فیدرهای کم ولتاژ

چکیده :

شرایط درفیدرها با تولید انرژی پراکنده بین افت ولتاژ وقتی هیچگونه تولید انرژی وجود ندارد،و افزایش ولتاژ وقتی تولید انرژی از بار متجاوز می شود؛ این دستگاه مسئول نگهداشتن تغییرات ولتاژ درخلال یک محدودهی تنظیمی می باشد درحالیکه موقعیت تولید میتواند ازطریق سرمایه گذاری مشتریان بدون توجه عملکرد فیدرتعیین شود. این دستگاه باید به عنوان یک مورد کلی براورد کند که چه میزان تولید می توان به صورت تصادفی به فیدرLVبارگیری شده به صورت تصادفی قبل از بروز یک تحقلی از محدوده های ولتاژ کافی بر آن الزام به انجام مطالعات تفصیلی مختص موقعیت نسبت داد. یک هسته تحصیلی احتمال گرایانه ی سریع برای محاسبات ولتاژ روی یک فیدر همراه با بارها وتولیدانرژی ،که درمقاله ای همراه مورد بحث قرارداده شده است،امکان شبیه سازی مونته کارلوی هزاران سناریو را با تولید متمرکز تصادفی و بارهای پائین فراهم می اورد که خیلی سریع انجام می شوند،ونمایش عینی شرایط ولتاژ احتمالی را بدست می دهند.دلالت های انتخاب سطوح مختلف ریسک مورد بحث قرار داده می شوند .نتایج را میتوان برای تعیین محدودیتهای نفوذبرای تولید انرژی فتوولتاتیک استفاده کرد.